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輻射熱アクティブ補償エピタキシによる高品質2-6半導体多元混晶の作製

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輻射熱アクティブ補償エピタキシによる高品質2-6半導体多元混晶の作製

Call No. (NDL)
Y151-H16360013
Bibliographic ID of National Diet Library
000009569020
Material type
図書
Author
小林正和, 早稲田大学 [著]
Publisher
[小林正和]
Publication date
2004-2007
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
53枚
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書

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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
図書
Title Transcription
フクシャネツ アクティブ ホショウ エピタキシ ニ ヨル コウヒンシツ 2 - 6 ハンドウタイ タゲン コンショウ ノ サクセイ
Author/Editor
小林正和, 早稲田大学 [著]
Author Heading
小林, 正和 コバヤシ, マサカズ
早稲田大学 ワセダ ダイガク
Publication, Distribution, etc.
Publication Date
2004-2007
2008.5
Publication Date (W3CDTF)
2004
2007
Extent
53枚
Additional Title
研究種目 基盤研究(B)