Study of growth of strain-relaxed Si[1-y]C[y] virtual substrate by molecular beam epitaxy and its application to buffer layer for strained silicon

• Material Type: 博士論文
• Title: Study of growth of strain-relaxed Si[1-y]C[y] virtual substrate by molecular beam epitaxy and its application to buffer layer for strained silicon
• Author/Editor: Hanae Ishihara [著]
• Author Heading: 石原, 英恵 イシハラ, ハナエ
• Publication, Distribution, etc.: [Hanae Ishihara]
• Publication Date: [2008]
• Publication Date (W3CDTF): 2008
• Extent: 1冊
• Alternative Title: ガスソースMBE法を用いた歪緩和Si[1-y]C[y]膜の作製と歪Siの仮想基板への応用に関する基礎研究 ガス ソース MBEホウ オ モチイタ ヒズミ カンワ Si1-yCyマク ノ サクセイ ト ヒズミ Si ノ カソウ キバン エ ノ オウヨウ ニ カンスル キソ ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成20年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 2008
• Dissertation Number: 甲第7201号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2008-M323
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000009902922; http://id.ndl.go.jp/bib/000009902922
• Bibliographic Record Category (NDL): 213