Fundamental study on SiC metal-insulator-semiconductor devices for high-voltage power integrated circuits

• Material Type: 博士論文
• Title: Fundamental study on SiC metal-insulator-semiconductor devices for high-voltage power integrated circuits
• Author/Editor: Masato Noborio [著]
• Author Heading: 登尾, 正人 ノボリオ, マサト
• Publication, Distribution, etc.: [Masato Noborio]
• Publication Date: [2009]
• Publication Date (W3CDTF): 2009
• Extent: 1冊
• Alternative Title: 高耐圧パワー集積回路を目指したSiC金属-絶縁膜-半導体素子の基礎研究 コウタイアツ パワー シュウセキ カイロ オ メザシタ SiC キンゾク - ゼツエンマク - ハンドウタイ ソシ ノ キソ ケンキュウ
• Degree grantor/type: 京都大学
• Date Granted: 平成21年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 2009
• Dissertation Number: 甲第14628号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2009-D340
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000010316347; http://id.ndl.go.jp/bib/000010316347
• Bibliographic Record Category (NDL): 213