デバイス応用へ向けたRF-MBE法による高品質InNの結晶成長に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: デバイス応用へ向けたRF-MBE法による高品質InNの結晶成長に関する研究
Title Transcription: デバイスオウヨウエムケタ RF - MBEホウニヨルコウヒンシツ InN ノケッショウセイチョウニカンスルケンキュウ
Author/Editor: 武藤大祐 [著]
Author Heading: 武藤, 大祐ムトウ, ダイスケ
Publication, Distribution, etc.: [武藤大祐]
Publication Date: [2009]
Publication Date (W3CDTF): 2009
Extent: 1冊
Degree grantor/type: 立命館大学
Date Granted: 平成21年3月31日
Date Granted (W3CDTF): 2009
Dissertation Number: 甲第583号
Degree Type: 博士 (工学)
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
NDLC: UT51
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-2009-E777
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000010389782
http://id.ndl.go.jp/bib/000010389782
Bibliographic Record Category (NDL): 213