シリコンMOSゲートSiO2膜の電気ストレスによる欠陥形成と絶縁破壊機構に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: シリコンMOSゲートSiO2膜の電気ストレスによる欠陥形成と絶縁破壊機構に関する研究
Title Transcription: シリコン MOS ゲート SiO2マクノデンキストレスニヨルケッカンケイセイトゼツエンハカイキコウニカンスルケンキュウ
Author/Editor: 三谷祐一郎 [著]
Author Heading: 三谷, 祐一郎ミタニ, ユウイチロウ
Publication, Distribution, etc.: [三谷祐一郎]
Publication Date: [2009]
Publication Date (W3CDTF): 2009
Extent: 1冊
Degree grantor/type: 東京大学
Date Granted: 平成21年1月15日
Date Granted (W3CDTF): 2009
Dissertation Number: 乙第17082号
Degree Type: 博士 (工学)
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
NDLC: UT51
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-2009-R310
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000010761830
http://id.ndl.go.jp/bib/000010761830
Bibliographic Record Category (NDL): 213