シリコンカーバイドの絶縁ゲート型電界効果トランジスタに対するアンモニアプラズマ前処理と界面電子物性評価

• Material Type: 博士論文
• Title: シリコンカーバイドの絶縁ゲート型電界効果トランジスタに対するアンモニアプラズマ前処理と界面電子物性評価
• Title Transcription: シリコン カーバイド ノ ゼツエン ゲートガタ デンカイ コウカ トランジスタ ニ タイスル アンモニア プラズマ マエショリ ト カイメン デンシ ブッセイ ヒョウカ
• Author/Editor: 岩崎吉記 [著]
• Author Heading: 岩崎, 吉記 イワサキ, ヨシノリ
• Publication, Distribution, etc.: [岩崎吉記]
• Publication Date: [2010]
• Publication Date (W3CDTF): 2010
• Extent: 1冊
• Degree grantor/type: 奈良先端科学技術大学院大学
• Date Granted: 平成22年3月24日
• Date Granted (W3CDTF): 2010
• Dissertation Number: 甲第941号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2010-F971
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000010984495; http://id.ndl.go.jp/bib/000010984495
• Bibliographic Record Category (NDL): 213