Mobility in SOI MOSFETs under strain and quantum confinement

• Material Type: 博士論文
• Title: Mobility in SOI MOSFETs under strain and quantum confinement
• Author/Editor: Ken Shimizu [著]
• Author Heading: 清水, 健 シミズ, ケン
• Publication, Distribution, etc.: [Ken Shimizu]
• Publication Date: [2010]
• Publication Date (W3CDTF): 2010
• Extent: 1冊
• Alternative Title: SOI MOSFETの移動度に歪みと量子効果が与える影響 SOI MOSFET ノ イドウド ニ ヒズミ ト リョウシ コウカ ガ アタエル エイキョウ
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成22年3月24日
• Date Granted (W3CDTF): 2010
• Dissertation Number: 甲第25716号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2010-P21
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000011110792; http://id.ndl.go.jp/bib/000011110792
• Bibliographic Record Category (NDL): 213