Light-emitting devices using GaN separated from sapphire substrates by laser lift-off technique

• Material Type: 博士論文
• Title: Light-emitting devices using GaN separated from sapphire substrates by laser lift-off technique
• Author/Editor: Tetsuzo Ueda [著]
• Author Heading: 上田, 哲三 ウエダ, テツゾウ
• Publication, Distribution, etc.: [Tetsuzo Ueda]
• Publication Date: [2011]
• Publication Date (W3CDTF): 2011
• Extent: 1冊
• Alternative Title: レーザリフトオフによりサファイア基板から分離したGaNを用いた発光デバイスに関する研究 レーザ リフトオフ ニ ヨリ サファイア キバン カラ ブンリシタ GaN オ モチイタ ハッコウ デバイス ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 京都大学
• Date Granted: 平成23年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 2011
• Dissertation Number: 乙第12549号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2011-C496
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000011239989; http://id.ndl.go.jp/bib/000011239989
• Bibliographic Record Category (NDL): 213