Device physics and electrical properties of polycrystalline silicon thin film transistors for highly integrated systems

• Material Type: 博士論文
• Title: Device physics and electrical properties of polycrystalline silicon thin film transistors for highly integrated systems
• Author/Editor: Masafumi Kunii [著]
• Author Heading: 國井, 正文 クニイ, マサフミ
• Publication, Distribution, etc.: [Masafumi Kunii]
• Publication Date: [2009]
• Publication Date (W3CDTF): 2009
• Extent: 1冊
• Alternative Title: 高集積化システムに求められる多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性とデバイス物理 コウシュウセキカ システム ニ モトメラレル タケッショウ シリコン ハクマク トランジスタ ノ トクセイ ト デバイス ブツリ
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成21年12月31日
• Date Granted (W3CDTF): 2009
• Dissertation Number: 甲第7858号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Target Audience: 一般
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2011-K124
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 023304601; http://id.ndl.go.jp/bib/023304601
• Bibliographic Record Category (NDL): 213