Study on InGaAs-on-insulator MOSFETs for Ⅲ-Ⅴ logic LSI on Si platform

• Material Type: 博士論文
• Title: Study on InGaAs-on-insulator MOSFETs for Ⅲ-Ⅴ logic LSI on Si platform
• Author/Editor: SangHyeon Kim [著]
• Author Heading: 金, 相賢 キム, サンヒョン
• Publication, Distribution, etc.: [SangHyeon Kim]
• Publication Date: [2014]
• Publication Date (W3CDTF): 2014
• Extent: 1冊
• Alternative Title: Siプラットフォーム上Ⅲ-ⅤロジックLSIのためのInGaAs-On-Insulator MOSFETに関する研究 Si プラットフォームジョウ 3 - 5 ロジック LSI ノ タメ ノ InGaAs - On - Insulator MOSFET ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成26年3月24日
• Date Granted (W3CDTF): 2014
• Dissertation Number: 甲第30272号
• Degree Type: 博士(工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Target Audience: 一般
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2014-C339
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 025970009; http://id.ndl.go.jp/bib/025970009
• Bibliographic Record Category (NDL): 213