SiC酸化膜界面のパッシベーション技術 : 先進パワー半導体分科会第2回個別討論会 (公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会 = Advanced Power Semiconductors ; vol. 2 no. 1)

SiC酸化膜界面のパッシベーション技術 : 先進パワー半導体分科会第2回個別討論会

(公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会 = Advanced Power Semiconductors ; vol. 2 no. 1)

Call No. (NDL): ND371-L89
Bibliographic ID of National Diet Library: 027558042

Material type: 図書

Author: 応用物理学会先進パワー半導体分科会編

Publisher: 応用物理学会先進パワー半導体分科会

Publication date: 2016.8

Material Format: Paper

Capacity, size, etc.: 75p ; 30cm

NDC: 549.8

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Note (General)：: 会期・会場: 2016年8月1日 ABC貸会議室3階第三会議室

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Paper

Material Type: 図書
ISBN: 978-4-86348-584-6
Title: SiC酸化膜界面のパッシベーション技術 : 先進パワー半導体分科会第2回個別討論会
Title Transcription: SiC サンカマクカイメンノパッシベーションギジュツ : センシンパワーハンドウタイブンカカイダイ2カイコベツトウロンカイ
Author/Editor: 応用物理学会先進パワー半導体分科会編
Series Title: 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会 = Advanced Power Semiconductors ; vol. 2 no. 1
Author Heading: 応用物理学会オウヨウブツリガッカイ ( 00281497 )Authorities
Publication, Distribution, etc.: 東京 : 応用物理学会先進パワー半導体分科会
Publication Date: 2016.8
Publication Date (W3CDTF): 2016
Extent: 75p
Size: 30cm
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 半導体ハンドウタイ ( 00562913 )Authorities
NDC 9th ed.: 549.8 : Electronic engineering
NDLC: ND371
Target Audience: 一般
Note (General): 会期・会場: 2016年8月1日 ABC貸会議室3階第三会議室
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: ND371-L89
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 027558042
http://id.ndl.go.jp/bib/027558042
National Bibliography No. (JPNO): 22784305
Cataloging Rule: Nippon Cataloguing Rules 1987 Revised Edition
Bibliographic Record Category (NDL): 111