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1MeV-electron irradiation induced defects in epitaxially grown 3C-SiC (JAERI-M ; JAERI-M-89-094)

1MeV-electron irradiation induced defects in epitaxially grown 3C-SiC (JAERI-M ; JAERI-M-89-094)
Paper図書
伊藤　久義//早川　直宏//梨山　勇//作間　栄一郎日本原子力研究所(ニホン ゲンシリョク ケンキュウショ)1989.
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  • Author Heading伊藤　久義 早川　直宏 梨山　勇 作間　栄一郎

エピタキシャル成長3C-SiCにおける1MeV電子線照射誘起欠陥

エピタキシャル成長3C-SiCにおける1MeV電子線照射誘起欠陥
Digital文書・図像類
伊藤 久義, 早川 直宏, 梨山 勇, 作間 栄一郎1989-07JAERI-M 89-094
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  • Author Heading伊藤 久義 早川 直宏 梨山 勇 作間 栄一郎

電子技術総合研究所彙報

電子技術総合研究所彙報
PaperDigital雑誌
電子技術総合研究所 編電子技術総合研究所1970-2001<Z16-185>
Available onlineNational Diet LibraryOther Libraries in Japan
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