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Homogeneous In(0.3)Ga(0.7)As crystal growth by the graded solute concentration method

Homogeneous In(0.3)Ga(0.7)As crystal growth by the graded solute concentration method
Digital文書・図像類
木下, 恭一, 加藤, 浩和, 松本, 聡, 岩井, 正行, 鶴, 哲也, 村松, 祐治, 依田, 真一, Kinoshita, Kyoichi, Kato, Hirokazu, Matsumoto, Satoshi, Iwai, Masayuki, Tsuru, Tetsuya, Muramatsu, Yuji, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.11-14
Other Libraries in Japan
  • Subject Heading...単結晶 微小重力 残存加速度 グレーデッド溶質濃縮法 部分溶融法 濃度勾配部分溶融法 スペースシャトル 国際宇宙...
  • Note (General)...融体から得る新しい結晶成長法「グレーデッド溶質濃縮法」を開発したが、さらにこの方法を部分溶融法の考えを採用するこ...
  • Alternative Titleグレーデッド溶質濃縮法による均質なIn(0.3)Ga(0.7)As結晶の成長

Annual report of the semiconductor team in NASDA Space Utilization Research Program 1999: Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)-growth of homogeneous crystals

Annual report of the semiconductor team in NASDA Space Utilization Research Program 1999: Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)-growth of homogeneous crystals
Digital文書・図像類
宇宙開発事業団, Natl. Space Development Agency of Japan宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.1-86
Other Libraries in Japan
  • Subject HeadingIn(0.3)Ga(0.7)As 単結晶 微小重力 グレーデッド溶質濃縮法 部分溶融法 濃度勾配部分溶融法 スペースシャトル 国際宇宙...
  • Note (General)以下の主題について議論した。グレーデッド溶質濃縮法による均質なIn(0.3)Ga(0.7)As結晶の成長、濃度...

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