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ワイドギヤツプ半導体SiCを用いた高耐圧・超高効率・高速パワ-MOSFET

ワイドギヤツプ半導体SiCを用いた高耐圧・超高効率・高速パワ-MOSFET
Paper図書
木本, 恒暢, 京都大学2001-2002<Y151-H13555094>
National Diet Library
  • Subject Headingシリコンカ-バイド パワ-デバイス MOSFET 酸化膜/半導体界面 チヤネル移動度

原子層MOCVDと分光エリプソメトリによる高誘電率酸化膜超薄膜の原子レベル制御

原子層MOCVDと分光エリプソメトリによる高誘電率酸化膜超薄膜の原子レベル制御
Paper図書
小田俊理, 東京工業大学 [著][小田俊理]2002-2003<Y151-H14350160>
National Diet Library
  • Subject Heading原子層MOCVD / 分光エリプソメトリ / 高誘電率ゲート酸化膜 / 薄膜堆積その場観察 / MOSFET / チャネル移動度 / ゲートリーク電流 / パルス原料供給

ワイドギャップ半導体SiCを用いたMOS構造における界面電子物性の解明 : 平成22年度実績報告書

ワイドギャップ半導体SiCを用いたMOS構造における界面電子物性の解明 : 平成22年度実績報告書
Digital文書・図像類
岡本, 大奈良先端科学技術大学院大学2011
Available onlineOther Libraries in Japan
  • Subject Headingシリコンカーバイド MOS界面 チャネル移動度 酸化膜トラップ MOSFET

ワイドギャップ半導体SiCを用いたMOS構造における界面電子物性の解明

ワイドギャップ半導体SiCを用いたMOS構造における界面電子物性の解明
Digital文書・図像類
岡本, 大奈良先端科学技術大学院大学2010
Available onlineOther Libraries in Japan
  • Subject Headingシリコンカーバイド MOS界面 チャネル移動度 酸化膜トラップ MOSFET

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