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- Toc / Article...||第3章 SiCパワー半導体バイポーラ劣化予測モデルの設計||第4章 P......ド通電ストレス試験||第5章 バイポーラ劣化予測モデルによるPiNダイオードの臨界電流密度の計算||第6...
- Summary, etc.本研究では、SiCパワー半導体の信頼性低下をもたらすバイポーラ劣化現象の新たなモデルを提案し、デバイス構造パラメータとバイポーラ劣化の関係を理論的に明らかにした。......表面処理を提案し、本処理によりバイポーラ劣化が抑制されることを実験的に確認......体において信頼性低下をもたらすバイポーラ劣化現象に関して言及した。バイポーラ劣化の抑制手法ならびにそのメカニズ......の理解において、SiC基板内でバイポーラ劣化の起点となる基底面転位を積極的......慮したデバイス構造パラメータとバイポーラ劣化の関係に関しても十分に明らかに......に明らかにすることを目的とし、バイポーラ劣化の本質的解決における本研究の重......、SiCパワー半導体にもたらすバイポーラ劣化抑制効果を実験的および理論的に......半導体中の基底面転位に起因するバイポーラ劣化現象の理論的な理解のために新た......拡張する臨界ホール濃度を用いてバイポーラ劣化が発生する電流密度（臨界電流密......8 Kまでの高温条件下におけるバイポーラ劣化の予測を可能とした。第4章では......とき、基板中の基底面転位によるバイポーラ劣化において拡張起源の基底面転位の......も基板中の基底面転位に起因するバイポーラ劣化が発生しにくいことを実験的には......した。また、両者のウェハ間でのバイポーラ劣化が発生したPiNダイオードの数の比率は、Si蒸気圧エッチング...
- Subject HeadingSic バイポーラ劣化 基底面転位 Si蒸気圧エッチング PiNダイオード