SiCパワー半導体バイポーラ劣化抑制方法の研究

• Material Type: 博士論文
• Title: SiCパワー半導体バイポーラ劣化抑制方法の研究
• Author/Editor: 鳥見, 聡
• Author Heading: 鳥見, 聡
• Publication Date: 2020-03-25
• Publication Date (W3CDTF): 2020-03-25
• Alternative Title: Study on the suppression methods of bipolar degradation for SiC power semiconductor
• Contributor: 大村, 一郎
• Degree grantor/type: 九州工業大学
• Date Granted: 2020-03-25
• Date Granted (W3CDTF): 2020-03-25
• Dissertation Number: 甲第365号
• Degree Type: 博士（工学）
• Conferring No. (Dissertation): 甲生工第365号
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: Sic; バイポーラ劣化; 基底面転位; Si蒸気圧エッチング; PiNダイオード
• Target Audience: 一般
• Note (General): 九州工業大学博士学位論文 学位記番号：生工博甲第365号 学位授与年月日：令和2年3月25日; 令和元年度
• DOI: 10.18997/00007807; https://doi.org/10.18997/00007807
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11512201; https://dl.ndl.go.jp/pid/11512201
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2020-07-06T20:31:19+09:00
• Date Created (W3CDTF): 2020-06-16
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): https://doi.org/10.18997/00007807; http://hdl.handle.net/10228/00007807
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• Summary, etc.: 本研究では、SiCパワー半導体の信頼性低下をもたらすバイポーラ劣化現象の新たなモデルを提案し、デバイス構造パラメータとバイポーラ劣化の関係を理論的に明らかにした。さらに、Si蒸気圧エッチング法と呼ぶSiC基板の表面処理を提案し、本処理によりバイポーラ劣化が抑制されることを実験的に確認した。本成果はS...

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