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テラビット級高速磁性不揮発メモリの開発

テラビット級高速磁性不揮発メモリの開発
Paper図書
松山公秀, 九州大学 [著][松山公秀]2003-2005<Y151-H15360192>
National Diet Library
  • Subject Headingスピントロニクス / 不揮発メモリ / 書き換え可能論理動作回路 / 磁性ランダムアクセスメモ...

次世代SoC-LSIにおける超高バンド幅マクロ間インターコネクト技術の研究

次世代SoC-LSIにおける超高バンド幅マクロ間インターコネクト技術の研究
Paper図書
中村和之, 九州工業大学 [著][中村和之]2002-2003<Y151-H14550325>
National Diet Library
  • Subject HeadingシステムLSI / インターフェース / 素子ばらつき / SoC / 高速通信 / 画像処理 / 不揮発メモリ / PLL

低磁界で書き込み可能な固体磁気メモリの試作

低磁界で書き込み可能な固体磁気メモリの試作
Paper図書
綱島滋, 名古屋大学 [著][綱島滋]2001-2003<Y151-H13555092>
National Diet Library
  • Subject Heading磁気固体メモリ / MRAM / スピントンネル接合 / 不揮発メモリ / ブロッキング温度 / 交換異方性 / スピン偏極電気伝...

強誘電体薄膜を用いたReRAM型高機能不揮発メモリの開発と機構解明

強誘電体薄膜を用いたReRAM型高機能不揮発メモリの開発と機構解明
Digital文書・図像類
森本, 章治, Morimoto, Akiharu2016-06-01平成27(2015)年度 科学研究費補助金 特定領域研究 研究成果報告書 = 2015 Fiscal Year Final Research Report2014-04-01 – 2016-03-31p.6p.-
Other Libraries in Japan
  • Subject Heading強誘電体 不揮発メモリ 抵抗変化型メモリ 希土類添加ビスマス鉄酸化物 書き込み 読...

レーザアブレーシヨン法による強誘電体不揮発メモリにおける疲労特性の改善

レーザアブレーシヨン法による強誘電体不揮発メモリにおける疲労特性の改善
Paper図書
森本, 章治, 金沢大学1994-1995<Y151-H06650010>
National Diet Library
  • Subject Headingレーザアブレーシヨン 強誘電体不揮発メモリ チタン酸ジルコン酸鉛 (PZT) ニツケル合金電極 窒化チ...

レーザアブレーション法による強誘電体不揮発メモリにおける疲労特性の改善

レーザアブレーション法による強誘電体不揮発メモリにおける疲労特性の改善
Digital文書・図像類
森本, 章治, Morimoto, Akiharu金沢大学工学部1996-03-01平成7(1995)年度 科学研究費補助金 一般研究(C) 研究成果報告書 = 1995 Fiscal Year Final Research Report1994-1995p.9p.-
Other Libraries in Japan
  • Subject Headingレーザアブレーション 強誘電体不揮発メモリ チタン酸ジルコン酸鉛(PZT) ニッケル合金電極 窒化チタ...
  • Note (General)レーザアブレーション法を用いた本研究の目的は、不揮発メモリの疲労特性の機構解明とその改善である。不揮発メモリとしては金属/強誘電体/金属(......しているNi合金を用いてPZT不揮発メモリを構成し、疲労の周波数特性を調......アブレーション法による強誘電体不揮発メモリにおける疲労特性の改善」研究成果報告書　課題番号066500...

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