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Preparation of InGaAs starting materials having the gradient InAs concentration

Preparation of InGaAs starting materials having the gradient InAs concentration
Digital文書・図像類
龍見, 雅美, 加藤, 浩和, 木下, 恭一, Tatsumi, Masami, Kato, Hirokazu, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.55-59
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  • Subject HeadingInGaAs 出発材料 方向性固化法 過冷却 核生成 成長界面 蛍光X線法 微視的...

Analysis of compositional fraction in polycrystalline In(x)Ga(1-x)As using Raman scattering

Analysis of compositional fraction in polycrystalline In(x)Ga(1-x)As using Raman scattering
Digital文書・図像類
Verma, P., 山田, 正良, 龍見, 雅美, 加藤, 浩和, 木下, 恭一, Yamada, Masayoshi, Tatsumi, Masami, Kato, Hirokazu, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.77-81
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  • Subject Heading...ル成長層 光電素子 基板結晶 出発材料 ラマン散乱 非破壊法 空間的一様性 成分比 成長過程 塊状...
  • Note (General)...重要な要素の1つは、成長過程の出発材料として適正なものを選択することである。出発材料が適当な組成比の空間分布を持っ......わかっている。従って、これらの出発材料、特にその組成比を非破壊的方法......なる。ここでは、これらの多結晶出発材料に対する微小ラマン散乱解析の結果を示す。色々なInGaAs多...

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