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原料分子およびナノ結晶場制御によるAlNおよびAlGaN厚膜エピタキシー

Paper図書

纐纈明伯, 東京農工大学 [著][纐纈明伯]2003-2004<Y151-H15360004>

National Diet Library

Subject HeadingHVPE / AlN / AlGaN / 基板結晶 / 自立基板結晶

Analysis of compositional fraction in polycrystalline In(x)Ga(1-x)As using Raman scattering

Digital文書・図像類

Verma, P., 山田, 正良, 龍見, 雅美, 加藤, 浩和, 木下, 恭一, Yamada, Masayoshi, Tatsumi, Masami, Kato, Hirokazu, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.77-81

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Subject Heading...ピタキシャル成長層光電素子基板結晶出発材料ラマン散乱非破壊法空間的一様性成分比成長...
Note (General)...比が空間的に一様なInGaAs基板結晶を成長させることは極めて難しい......晶であれば、均質なInGaAs基板結晶を成長させることができる可能性のあることがわかっている。従っ...

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