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タンタル酸化物を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)とセンサ応用に関する研究

タンタル酸化物を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)とセンサ応用に関する研究
Digital博士論文障害者向け資料あり
米田, 慎一奈良先端科学技術大学院大学2021-12-31
Available onlineNational Diet LibraryOther Libraries in Japan
  • Subject Heading抵抗変化型メモリ タンタル酸化物 不揮発性メモリ ガスセンサ ReR...

ペロブスカイト薄膜における特異的準安定ナノ構造と電子輸送特性に関する研究

ペロブスカイト薄膜における特異的準安定ナノ構造と電子輸送特性に関する研究
Paper図書
藤本正之, 静岡大学 [著][藤本正之]2005-2007<Y151-H17360324>
National Diet Library
  • Subject Heading酸化物薄膜 / 電子輸送特性 / ナノ構造 / 高速抵抗変化 / モット転移 / TEM/EELS

システムオンパネルの実現に向けた化合物半導体による薄膜素子に関する研究

システムオンパネルの実現に向けた化合物半導体による薄膜素子に関する研究
Digital博士論文障害者向け資料あり
鍋坂, 恭平奈良先端科学技術大学院大学2017-03-24
Available onlineNational Diet LibraryOther Libraries in Japan
  • Subject Headingシステムオンパネル 化合物半導体 無機EL 抵抗変化型メモリ

電気インピーダンス変化を用いた複合材料の履歴記憶型モニタリングシステム

電気インピーダンス変化を用いた複合材料の履歴記憶型モニタリングシステム
Paper図書
轟章, 東京工業大学 [著][轟章]2003-2005<Y151-H15560062>
National Diet Library
  • Subject Heading複合材料 / 電気抵抗変化 / 炭素繊維 / ひずみ / マトリックス割れ / 無線

システムオンプラスチック応用に向けた非晶質InGaZnO抵抗変化メモリに関する研究

システムオンプラスチック応用に向けた非晶質InGaZnO抵抗変化メモリに関する研究
Digital博士論文障害者向け資料あり
門, 圭佑奈良先端科学技術大学院大学2017-03-24
Available onlineNational Diet LibraryOther Libraries in Japan
  • Subject Headingシステムオンプラスチック 非晶質酸化物 抵抗変化メモリ 低温プロセス InGaZnO

異方性配向ＣＮＴシートを用いたウエアラブル歪センサの研究

異方性配向ＣＮＴシートを用いたウエアラブル歪センサの研究
Digital文書・図像類
三村, 秀典静岡大学2014-06-19
Other Libraries in Japan
  • Subject Headingウエアラブル カーボンナノチューブ センシング 抵抗変化 歪センサ ＣＮＴ

強誘電体薄膜を用いたReRAM型高機能不揮発メモリの開発と機構解明

強誘電体薄膜を用いたReRAM型高機能不揮発メモリの開発と機構解明
Digital文書・図像類
森本, 章治, Morimoto, Akiharu2016-06-01平成27(2015)年度 科学研究費補助金 特定領域研究 研究成果報告書 = 2015 Fiscal Year Final Research Report2014-04-01 – 2016-03-31p.6p.-
Other Libraries in Japan
  • Subject Heading強誘電体 不揮発メモリ 抵抗変化型メモリ 希土類添加ビスマス鉄酸化物 書き込み 読み出し 保...
  • Note (General)...O3(BNF)強誘電体を用いた抵抗変化メモリ素子（Fe-ReRAM）......を評価した結果、作製した試料の抵抗変化は主に強誘電体の自発分極に基づくことを確認した。作製した試料...

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