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SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討

Digital文書・図像類

清田, 幸弘, 小田, 克矢, 大植, 栄司, 速水, 礼子, 近藤, 将夫, 鷲尾, 勝由, 田邊, 正倫, 島本, 裕巳, 山口, 修, 稲田, 太郎, KIYOTA, Yukihiro, ODA, Katsuya, OHUE, Eiji, HAYAMI, Reiko, KONDO, Masao, WASHIO, Katsuyoshi, TANABE, Masamichi, SHIMAMOTO, Hiromi, YAMAGUCHI, Osamu, INADA, Taroh電子情報通信学会2000-10-13電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス374p.39-43

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Summary, etc....表面清浄化方法として, 大流量H_2アニール, 高真空アニール, Si_2......ンなどを完全に除去するためにはH_2アニールが必須であることがわかった。高......流にリークが起こりやすいが, H_2アニールを行えばその問題が無く, 電気......とがわかった。基板表面清浄化にH_2アニールを用いることでSiGeHBTの歩留まりが大きく向上することを...
Subject HeadingUHVCVD SiGe選択エピタキシャル成長 H_2アニール HBT

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