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レーザアブレーシヨン法による強誘電体不揮発メモリにおける疲労特性の改善

レーザアブレーシヨン法による強誘電体不揮発メモリにおける疲労特性の改善
紙図書
森本, 章治, 金沢大学1994-1995<Y151-H06650010>
国立国会図書館
  • 件名レーザアブレーシヨン 強誘電体不揮発メモリ チタン酸ジルコン酸鉛 (PZT) ニツケル合金電極 窒化チタンアルミ (TiAlN) 電極 マグネシアバツフア層 スイツチング電荷量 スイツチング疲労耐性

レーザアブレーション法による強誘電体不揮発メモリにおける疲労特性の改善

レーザアブレーション法による強誘電体不揮発メモリにおける疲労特性の改善
デジタル文書・図像類
森本, 章治, Morimoto, Akiharu金沢大学工学部1996-03-01平成7(1995)年度 科学研究費補助金 一般研究(C) 研究成果報告書 = 1995 Fiscal Year Final Research Report1994-1995p.9p.-
全国の図書館
  • 件名...タンアルミ(TiAlN)電極 マグネシアバッファ層 スイッチング電荷量 スイッチング疲労耐性 pulsed l...

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