本文に飛ぶ

年 〜
年

検索結果 2 件

Constitutional supercooling during directional solidification of In(0.3)Ga(0.7)As melt

Constitutional supercooling during directional solidification of In(0.3)Ga(0.7)As melt
デジタル規格・テクニカルリポート類
加藤, 浩和, 木下, 恭一, 依田, 真一, Kato, Hirokazu T., Kinoshita, Kyoichi, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.39-43
全国の図書館
  • 件名In(0.3)Ga(0.7)As 方向性固化 組成的過冷却 結晶成長 混合結晶 濃度分布 温度勾配 移動...

Preparation of InGaAs starting materials having the gradient InAs concentration

Preparation of InGaAs starting materials having the gradient InAs concentration
デジタル規格・テクニカルリポート類
龍見, 雅美, 加藤, 浩和, 木下, 恭一, Tatsumi, Masami, Kato, Hirokazu, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.55-59
全国の図書館
  • 件名InGaAs 出発材料 方向性固化法 過冷却 核生成 成長界面 蛍光X線法 微視的にスムーズな...
  • 一般注記...配のあるInGaAs出発物質を方向性固化法で準備した。材料は過冷却をおこすことなく、巨視的微視的にな...

検索結果は以上です。

RSS