小森, 悟, 京都大学1999-2001<Y151-H11555059>
国立国会図書館
棚沢, 一郎, 東京大学1992-1993<Y151-H04452145>
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- 件名ロールオーバー 密度成層 数値シミユレーシヨン 熱・物質移動 自然対流 浮力対流 流れの可視化 シヤドウグラフ法
前川, 透, 池上, 圭介, 田所, 丈季, 杉木, 喜洋, 松本, 聡, Maekawa, Toru, Ikegami, Keisuke, Tadokoro, Tomoki, Sugiki, Yoshihiro, Matsumoto, Satoshi宇宙開発事業団2001-12-25宇宙開発事業団技術報告: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2000): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystals = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2000): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystalsp.41-49
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- 件名結晶成長 重力効果 浮力対流 半導体 移行液相ゾーン法 微小重力 数値解析 熱伝導度 c...
深澤, 智晴, 兼子, 稔, 丹治, 彰, 内田, 美佐子, Fukazawa, Tomoharu, Kaneko, Minoru, Tanji, Akira, Uchida, Misako宇宙開発事業団2001-03-01宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.117-120
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- 件名シアセル技法 液体拡散係数 浮力対流 薄板試料 長毛管 鋳造システム AgAu合金 回転キー s...
- 一般注記地上における液体拡散の測定は、浮力対流の影響で非常に困難である。対流を抑制する1つの方法は試料の半...
前川, 透, 平岡, 良章, 松本, 聡, Maekawa, Toru, Hiraoka, Yoshiaki, Matsumoto, Satoshi宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.27-34
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- 件名残留加速度 g-ジッタ 半導体溶融液 浮力対流 速度変動 温度変動 濃度変動 分岐図 重力変動 残留重力 ...
- 一般注記半導体溶液中で重力変動によって発生する浮力対流に関し、数値計算による研究を行った。温度差と濃度差に基づく浮...
内田, 美佐子, 冨岡, 浩, 正木, 匡彦, Uchida, Misako, Tomioka, Hiroshi, Masaki, Tadahiko宇宙開発事業団2001-03-01宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.131-133
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- 件名... 試料濃度分析 AgAu融液 浮力対流 EPMA 電子プローブX線微量分析器 shear cell...
- 一般注記地上における液体拡散係数の測定は浮力対流のために困難である。しかし拡散機構を明らかにするためには、高...