検索結果 5 件
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- 件名InGaAs 傾斜濃度 成分プロフィル 一方向凝固 組成的過冷却 温度勾配 成長速度 結晶成長 核形成 成長界面 gradi...
- 一般注記...を、通常の一方向凝固を用いつつ組成的過冷却を発生させることなく実現するこ......62mm/hまで減らした状態で組成的過冷却を抑制することに成功した。組成的過冷却にある溶融体からの結晶成長において組成が周期的に変動すること...
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- 件名In(0.3)Ga(0.7)As 方向性固化 組成的過冷却 結晶成長 混合結晶 濃度分布 温度勾配 移動速度 急冷 I...
- 一般注記組成的過冷却は結晶成長における最も重要な現......の1つである。混合結晶に関する組成的過冷却については理論的解析が幾つか存在するが、組成的過冷却が発生する実験的条件は未だ特定.......7)Asが一方向凝固する際の組成的過冷却の挙動を、固化した試料の濃度分......40から45度C/cmのとき、組成的過冷却に対する試料移動速度の限界は0.9mm/hから2mm/hの範...
- 並列タイトル等(連結)In(0.3)Ga(0.7)As融液の一方向凝固の際の組成的過冷却
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- 件名...温度勾配 濃度勾配 成長速度 組成的過冷却 残留重力 成長方向 semiconductor cryst...
- 一般注記...せ得ることがわかった。さらに、組成的過冷却の発生について研究し、温度勾配が30K/cmより高い場合に過...
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- 件名...温度勾配 濃度勾配 成長速度 組成的過冷却 g-ジッタ 重力変動 表面張力 坩堝 microgravi...
- 一般注記...温度勾配、濃度勾配、成長速度、組成的過冷却、残留重力、g-ジッタ、速度変動、温度変動、濃度変動、分岐図...
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