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[Research Highlights Vol.77] New TEM Technique Creates 2.8nm Transistor
[Research Highlights Vol.77] New TEM Technique Creates 2.8nm Transistor
デジタル
文書・図像類
International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA)
National Institute for Materials Science
2022-07-26
MANA E-BULLETIN
77
インターネットで読める
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件名
...ity transistor
metal-semiconductor transition
quantum transport in situ ele...
価電子パラメーターによる超伝導の化学的解釈
価電子パラメーターによる超伝導の化学的解釈
デジタル
博士論文
巻野, 勇喜雄
京都大学 (Kyoto University)
2014-03-24
インターネットで読める
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件名
...ctronegativity
metal-semiconductor transition
Neutron diffraction study of liquid G[lc]e in wide temperature range
Neutron diffraction study of liquid G[lc]e in wide temperature range
デジタル
文書・図像類
武田, 信一, 正木, 匡彦, 伊丹, 俊夫, Takeda, Shinichi, Masaki, Tadahiko, Itami, Toshio
宇宙開発事業団
2002-12-27
宇宙開発事業団技術報告: Modeling and Precise Experiments of Diffusion Phenomena in Melts Under Microgravity: Annual Reports 2001 = NASDA Technical Memorandum: Modeling and Precise Experiments of Diffusion Phenomena in Melts Under Microgravity: Annual Reports 2001
p.91-96
全国の図書館
件名
...eratomic force
metal-semiconductor transition
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