「半導体エレクトロニクス」のOpenURLのAPI検索結果 | NDLサーチ

検索結果 213 件

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半導体エレクトロニクス (岩波講座物理の世界 ; 物質科学の発展 ; 4)

紙図書

石原宏著岩波書店2002.10<MC151-H1>

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内容細目半導体エレクトロニクス石原／宏著石原宏著石原宏石原　宏／著石原宏...

差動型拡張ゲート電界効果トランジスターを用いたクレアチニンセンサーの作製と評価 (特集半導体エレクトロニクス)

紙記事

小池一歩, 道端涼, 日後太一, 前川英輝, 楯凱貴, 山本青依, 広藤裕一, 廣芝伸哉<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]73(10):2024.10p.763-767

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ミストデポジションにおける異なる前駆体組成によるCs-Cu-I系の薄膜形成と光学的特性 (特集半導体エレクトロニクス)

紙記事

渡邉啓佑, 西岡悠哉, 今井虹甫, 西中浩之<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]73(10):2024.10p.768-773

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ワイドバンドギャップ半導体ZnMgSTeの光学特性 (特集半導体エレクトロニクス)

紙記事

塩見将真, 有馬慧, 河合美穂, 大野広翔, 岩橋一馬, 赤岩和明, 阿部友紀, 市野邦男<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]73(10):2024.10p.774-777

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深紫外光検出器を目指した酸化ガリウム薄膜の水晶基板上ミストCVD成長 (特集半導体エレクトロニクス)

紙記事

宇野和行, 田中一成, 尾友響<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]73(10):2024.10p.778-784

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Er,O共添加GaAsを用いたフォトニック結晶ナノ光共振器の作製と光学評価 (特集半導体エレクトロニクス)

紙記事

舘林潤, 房之棟, 小川雅之, 梶井博武, 近藤正彦, 藤原康文<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]73(10):2024.10p.757-762

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ダウンコンバージョンによる太陽電池の変換効率向上を目指したTm,Yb共添加ZnOナノワイヤの作製と光学評価 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

舘林潤, 西山直登, Dolf Timmerman, 市川修平, 藤原康文<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]71(10):2022.10p.811-818

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ミストCVD法を用いたSi基板上Ga₂O₃成長 (特集半導体エレクトロニクス)

紙記事

菊池瑛嗣, 金子健太郎, 藤田静雄<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]71(10):2022.10p.835-840

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LiTaO₃基板上へのα-Ga₂O₃の成長にα-Fe₂O₃バッファ層の成長時間が与える影響 (特集半導体エレクトロニクス)

紙記事

島添和樹, 西中浩之, 新田悠汰, 吉本昌広<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]71(10):2022.10p.830-834

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Nitrogen Radical Beam Irradiation on InN Film for Surface Modification (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

Tsutomu ARAKI, Faizulsalihin Bin ABAS, Naoki GOTO, Ryouichi FUJITA, Shinichiro MOURI<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]71(10):2022.10p.824-829

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へき開した自立n-GaN基板のm面に形成したAu/Niショットキー接触における表面処理の影響 (特集半導体エレクトロニクス)

紙記事

塩島謙次, 今林弘毅, 三島友義<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]71(10):2022.10p.819-823

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ミストデポジション法によるフラーレンの結晶化制御とn型有機トランジスタへの応用 (特集半導体エレクトロニクス)

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香取重尊, 小橋孝太郎<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]70(10):2021.10p.745-750

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原子層半導体と分子性化合物の融合機能化 (特集半導体エレクトロニクス)

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桐谷乃輔, 藤村紀文<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]70(10):2021.10p.721-726

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真空紫外領域(200nm以下)で発光する半導体材料の研究 (特集半導体エレクトロニクス)

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金子健太郎, 尾沼猛儀, 藤田静雄<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]70(10):2021.10p.727-731

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Repeatability and Mechanisms of Threading Dislocation Reduction in InN Film Grown with In Situ Surface Modification by Radical Beam Irradiation (特集半導体エレクトロニクス)

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Tsutomu ARAKI, Faizulsalihin Bin ABAS, Ryouichi FUJITA, Shinichiro MOURI<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]70(10):2021.10p.732-737

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α-Fe₂O₃バッファ層の挿入によるフレキシブルな合成雲母基板上へのα-Ga₂O₃薄膜のエピタキシャル成長 (特集半導体エレクトロニクス)

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新田悠汰, 西中浩之, 島添和樹, 吉本昌広<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]70(10):2021.10p.738-744

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有機薄膜トランジスタ用ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の紫外線重合における光重合開始剤の検討 (特集半導体エレクトロニクス)

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秦野航輔, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]69(10):2020.10p.712-716

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バッファ層導入によるサファイア基板上α-Ga₂O₃薄膜の高品質化 (特集半導体エレクトロニクス)

紙デジタル記事

金子健太郎, 伊藤義人, 藤田静雄<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]69(10):2020.10p.707-711

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Ni/p-GaNショットキー接触におけるMg濃度依存性 (特集半導体エレクトロニクス)

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塩島謙次<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]69(10):2020.10p.717-720

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イッテルビウム添加イットリウムアルミニウムガーネット薄膜のアンチストークス発光特性と理想レーザー冷却性能 (特集半導体エレクトロニクス)

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中山雄太, 中川望夢, 原田幸弘, 喜多隆<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]69(10):2020.10p.727-732

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