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バッファ層導入による...

バッファ層導入によるサファイア基板上α-Ga₂O₃薄膜の高品質化 (特集 半導体エレクトロニクス)

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バッファ層導入によるサファイア基板上α-Ga₂O₃薄膜の高品質化(特集 半導体エレクトロニクス)

国立国会図書館請求記号
Z14-267
国立国会図書館書誌ID
030702892
資料種別
記事
著者
金子 健太郎ほか
出版者
京都 : 日本材料学会
出版年
2020-10
資料形態
掲載誌名
材料 / 日本材料学会 [編] 69(10):2020.10
掲載ページ
p.707-711
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
金子 健太郎
伊藤 義人
藤田 静雄
並列タイトル等
Synthesis of High-Quality α-Ga₂O₃ thin films on Sapphire Substrates with Introduction of Buffer Layers
タイトル(掲載誌)
材料 / 日本材料学会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
69(10):2020.10
掲載巻
69
掲載号
10