原子層堆積法とTiキャップアニールによる極薄SiO₂換算膜厚を持つhigh-k(k=40)HfO₂ゲートスタックの形成 (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
デジタルデータあり（Japan Link Center）
すぐに読む
CiNii Research
全国の図書館の所蔵
国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。
所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください
書誌情報
この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。
- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 森田 行則右田 真司水林 亘 他
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- Extremely Scaled Equivalent Oxide Thickness of High-k (k=40) HfO₂ Gate Stacks Prepared by Atomic Layer Deposition and Ti Cap Anneal
- タイトル（掲載誌）
- 表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 33(11):2012.11
- 掲載巻
- 33
- 掲載号
- 11