Fabrication of C-Doped p-AlGaInN Light-Emitting Diodes by the Insertion of Al₄C₃ (Special Issue : Recent Advances in Nitride Semiconductors)

Fabrication of C-Doped p-AlGaInN Light-Emitting Diodes by the Insertion of Al₄C₃

(Special Issue : Recent Advances in Nitride Semiconductors)

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資料種別: 記事
タイトル: Fabrication of C-Doped p-AlGaInN Light-Emitting Diodes by the Insertion of Al₄C₃
著者・編者: Dohyung Kim
Heesub Lee
Kazuya Yamazumi 他
シリーズタイトル: Special Issue : Recent Advances in Nitride Semiconductors
著者標目: Dohyung Kim
Heesub Lee
Kazuya Yamazumi
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）: 52(8)(2):2013.8
掲載巻: 52
掲載号: 8
掲載通号: 2
掲載ページ: 08JG18-1-5
掲載年月日（W3CDTF）: 2013-08
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-A375
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 024786869
http://id.ndl.go.jp/bib/024786869
整理区分コード: 632