Fabrication of C-Doped p-AlGaInN Light-Emitting Diodes by the Insertion of Al₄C₃ (Special Issue : Recent Advances in Nitride Semiconductors)

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Fabrication of C-Doped p-AlGaInN Light-Emitting Diodes by the Insertion of Al₄C₃

(Special Issue : Recent Advances in Nitride Semiconductors)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
024786869
資料種別
記事
著者
Dohyung Kimほか
出版者
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版年
2013-08
資料形態
掲載誌名
Japanese journal of applied physics : JJAP 52(8)(2):2013.8
掲載ページ
p.08JG18-1-5
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
Dohyung Kim
Heesub Lee
Kazuya Yamazumi 他
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
52(8)(2):2013.8
掲載巻
52
掲載号
8
掲載通号
2