オペランド硬X線光電...

オペランド硬X線光電子分光法によるSiO₂/4H-SiC界面の界面準位のエネルギー分布観測 (第36回表面科学学術講演会特集号(1))

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オペランド硬X線光電子分光法によるSiO₂/4H-SiC界面の界面準位のエネルギー分布観測(第36回表面科学学術講演会特集号(1))

国立国会図書館請求記号
Z15-379
国立国会図書館書誌ID
028381757
資料種別
記事
著者
山下 良之ほか
出版者
東京 : 日本表面科学会
出版年
2017-07
資料形態
掲載誌名
表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編 38(7):2017.7
掲載ページ
p.347-350
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
山下 良之
蓮沼 隆
長田 貴弘
知京 豊祐
並列タイトル等
Direct Observation of the Energy Distribution of Interface States at SiO₂/4H-SiC Interface : Operando Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study
タイトル(掲載誌)
表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
38(7):2017.7
掲載巻
38
掲載号
7