パワーデバイス用Ga...

パワーデバイス用GaN on GaN結晶 (特集 パワーデバイス用半導体結晶 : Si,SiC,GaN,ダイヤモンド,Ga₂O₃)

記事を表すアイコン

パワーデバイス用GaN on GaN結晶(特集 パワーデバイス用半導体結晶 : Si,SiC,GaN,ダイヤモンド,Ga₂O₃)

国立国会図書館請求記号
Z16-177
国立国会図書館書誌ID
028615589
資料種別
記事
著者
藤倉 序章
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2017-10
資料形態
掲載誌名
電気学会誌 = The journal of the Institute of Electrical Engineers of Japan 137(10):2017.10
掲載ページ
p.685-688
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    デジタル
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

デジタル

資料種別
記事
著者・編者
藤倉 序章
著者標目
並列タイトル等
GaN on GaN Crystals for Power Device Applications
タイトル(掲載誌)
電気学会誌 = The journal of the Institute of Electrical Engineers of Japan
巻号年月日等(掲載誌)
137(10):2017.10
掲載巻
137
掲載号
10