電磁界解析及び実測に基づくSiCパワーモジュール配線の寄生インダクタンス評価に関する一検討

• 資料種別: 記事
• タイトル: 電磁界解析及び実測に基づくSiCパワーモジュール配線の寄生インダクタンス評価に関する一検討
• 著者・編者: 増田 瑛介; 井渕 貴章; 舟木 剛; 大嶽 浩隆; 宮崎 達也; 金武 康雄; 澤井 泰; 中村 孝
• シリーズタイトル: エレクトロニクスシミュレーション
• 著者標目: 増田 瑛介; 井渕 貴章; 舟木 剛; 大嶽 浩隆; 宮崎 達也; 金武 康雄; 澤井 泰; 中村 孝
• 並列タイトル等: Evaluation on parasitic inductance of SiC power module wiring based on electromagnetic analysis and measurement
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 117(245):2017.10.19・20
• 掲載巻: 117
• 掲載号: 245
• 掲載ページ: 23-28
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2017-10
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: SiCパワーモジュール; 寄生インダクタンス; シャントスルー法; 部分要素等価回路法; モーメント法; SiC power module; parasitic inductance; shunt through method; Partial Element Equivalent Circuit method; Method of Moment
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: EMC-17-35
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028642111; http://id.ndl.go.jp/bib/028642111
• 整理区分コード: 632