雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number117(245):2017.10.19・20
Article電磁界解析及び実測に...

電磁界解析及び実測に基づくSiCパワーモジュール配線の寄生インダクタンス評価に関する一検討 (エレクトロニクスシミュレーション)

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電磁界解析及び実測に基づくSiCパワーモジュール配線の寄生インダクタンス評価に関する一検討

(エレクトロニクスシミュレーション)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
028642111
Material type
記事
Author
増田 瑛介ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2017-10
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(245):2017.10.19・20
Publication Page
p.23-28
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Title
電磁界解析及び実測に基づくSiCパワーモジュール配線の寄生インダクタンス評価に関する一検討
Author/Editor
増田 瑛介
井渕 貴章
舟木 剛
大嶽 浩隆
宮崎 達也
金武 康雄
澤井 泰
中村 孝
Series Title
エレクトロニクスシミュレーション
Author Heading
増田 瑛介
井渕 貴章
舟木 剛
大嶽 浩隆
宮崎 達也
金武 康雄
澤井 泰
中村 孝
Alternative Title
Evaluation on parasitic inductance of SiC power module wiring based on electromagnetic analysis and measurement
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
117(245):2017.10.19・20
Volume
117
Issue
245