MOSFET寄生容量の高速充放電によるスイッチング損失低減法

• 資料種別: 記事
• タイトル: MOSFET寄生容量の高速充放電によるスイッチング損失低減法
• 著者・編者: 村田 宗洋; 野口 季彦
• シリーズタイトル: 電力技術 電力系統技術 半導体電力変換合同研究会・電力技術一般ならびに半導体電力変換一般
• 著者標目: 村田 宗洋; 野口 季彦
• 並列タイトル等: Switching Loss Reduction by Means of High-Speed Charging and Discharging of MOSFET's Parasitic Capacitor
• タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2015(79-82・84・86-89・91・92・94-109・111):2015.2.20
• 掲載巻: 2015
• 掲載号: 79-82・84・86-89・91・92・94-109・111
• 掲載ページ: 73-78
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2015-02-20
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: MOSFET; 高速スイッチング; スイッチング損; ターンオフ; ターンオン; 補助回路; インバータ; high-speed switching; switching loss; turn-off; turn-on; auxiliary circuit; inverter
• NDLC: ZN32
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SPC-15-95
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z43-243
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028696665; http://id.ndl.go.jp/bib/028696665
• 整理区分コード: 632