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MOSFET寄生容量の高速充放電によるスイッチング損失低減法 (電力技術 電力系統技術 半導体電力変換合同研究会・電力技術一般ならびに半導体電力変換一般)

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MOSFET寄生容量の高速充放電によるスイッチング損失低減法

(電力技術 電力系統技術 半導体電力変換合同研究会・電力技術一般ならびに半導体電力変換一般)

Call No. (NDL)
Z43-243
Bibliographic ID of National Diet Library
028696665
Material type
記事
Author
村田 宗洋ほか
Publisher
東京 : 電気学会
Publication date
2015-02-20
Material Format
Paper
Journal name
電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] 2015(79-82・84・86-89・91・92・94-109・111):2015.2.20
Publication Page
p.73-78
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
村田 宗洋
野口 季彦
Alternative Title
Switching Loss Reduction by Means of High-Speed Charging and Discharging of MOSFET's Parasitic Capacitor
Periodical title
電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
No. or year of volume/issue
2015(79-82・84・86-89・91・92・94-109・111):2015.2.20
Volume
2015
Issue
79-82・84・86-89・91・92・94-109・111