μ-PCD法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討

• 資料種別: 記事
• タイトル: μ-PCD法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討
• 著者・編者: 真辺 航; 大村 一郎; 附田 正則
• シリーズタイトル: 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
• 著者標目: 真辺 航; 大村 一郎; 附田 正則
• 並列タイトル等: Investigation of Epitaxial Wafer Evaluation Accuracy with Microwave Photoconductivity Decay
• タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2017(151-164・166-172):2017.11.20
• 掲載巻: 2017
• 掲載号: 151-164・166-172
• 掲載ページ: 7-11
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2017-11-20
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: パワーデバイス; エピタキシャルウェーハ; キャリアライフタイム; マイクロ波光導電減衰法; TCADシミュレーション; 評価精度; Power Device; Epitaxial Wafer; Carrier lifetime; Microwave Photoconductivity Decay; TCAD Simulation; Evaluation Accuracy
• NDLC: ZN32
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SPC-17-152
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z43-243
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028712048; http://id.ndl.go.jp/bib/028712048
• 整理区分コード: 632