μ-PCD法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討

• Material Type: 記事
• Title: μ-PCD法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討
• Author/Editor: 真辺 航; 大村 一郎; 附田 正則
• Series Title: 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
• Author Heading: 真辺 航; 大村 一郎; 附田 正則
• Alternative Title: Investigation of Epitaxial Wafer Evaluation Accuracy with Microwave Photoconductivity Decay
• Periodical title: 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
• No. or year of volume/issue: 2017(151-164・166-172):2017.11.20
• Volume: 2017
• Issue: 151-164・166-172
• Pages: 7-11
• Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2017-11-20
• Publication (Periodical Title): 東京 : 電気学会
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: パワーデバイス; エピタキシャルウェーハ; キャリアライフタイム; マイクロ波光導電減衰法; TCADシミュレーション; 評価精度; Power Device; Epitaxial Wafer; Carrier lifetime; Microwave Photoconductivity Decay; TCAD Simulation; Evaluation Accuracy
• NDLC: ZN32
• Target Audience: 一般
• Report No. (Article): SPC-17-152
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z43-243
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 028712048; http://id.ndl.go.jp/bib/028712048
• Bibliographic Record Category (NDL): 632