SiC-MOSFETにおける短絡耐量と特性オン抵抗のトレードオフ関係の評価

• 資料種別: 記事
• タイトル: SiC-MOSFETにおける短絡耐量と特性オン抵抗のトレードオフ関係の評価
• 著者・編者: 大嶋 俊之; 大橋 輝之; 池田 健太郎; 飯島 良介; 高尾 和人
• シリーズタイトル: 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
• 著者標目: 大嶋 俊之; 大橋 輝之; 池田 健太郎; 飯島 良介; 高尾 和人
• 並列タイトル等: Evaluation of the trade-off between specific on-resistance and short-circuit ruggedness of SiC-MOSFETs
• タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2017(151-164・166-172):2017.11.20
• 掲載巻: 2017
• 掲載号: 151-164・166-172
• 掲載ページ: 19-22
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2017-11-20
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: SiC-MOSFET; 短絡耐量; Short-circuit ruggedness
• NDLC: ZN32
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SPC-17-154
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z43-243
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028712057; http://id.ndl.go.jp/bib/028712057
• 整理区分コード: 632