SiC-MOSFETにおける短絡耐量と特性オン抵抗のトレードオフ関係の評価

• Material Type: 記事
• Title: SiC-MOSFETにおける短絡耐量と特性オン抵抗のトレードオフ関係の評価
• Author/Editor: 大嶋 俊之; 大橋 輝之; 池田 健太郎; 飯島 良介; 高尾 和人
• Series Title: 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
• Author Heading: 大嶋 俊之; 大橋 輝之; 池田 健太郎; 飯島 良介; 高尾 和人
• Alternative Title: Evaluation of the trade-off between specific on-resistance and short-circuit ruggedness of SiC-MOSFETs
• Periodical title: 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
• No. or year of volume/issue: 2017(151-164・166-172):2017.11.20
• Volume: 2017
• Issue: 151-164・166-172
• Pages: 19-22
• Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2017-11-20
• Publication (Periodical Title): 東京 : 電気学会
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: SiC-MOSFET; 短絡耐量; Short-circuit ruggedness
• NDLC: ZN32
• Target Audience: 一般
• Report No. (Article): SPC-17-154
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z43-243
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 028712057; http://id.ndl.go.jp/bib/028712057
• Bibliographic Record Category (NDL): 632