ゲート接地MOSFETを利用して並列負帰還を形成した低電力化雑音打ち消しLNAの小面積化

• 資料種別: 記事
• タイトル: ゲート接地MOSFETを利用して並列負帰還を形成した低電力化雑音打ち消しLNAの小面積化
• 著者・編者: 下川 直樹; 和田 和千
• シリーズタイトル: 回路とシステム
• 著者標目: 下川 直樹; 和田 和千
• 並列タイトル等: Reduction of Area of a Low-Power Noise Cancelling LNA with Shunt Feedback Utilizing the Gate Grounded MOSFET
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 117(343):2017.12.14・15
• 掲載巻: 117
• 掲載号: 343
• 掲載ページ: 79-84
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2017-12
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 低雑音増幅器; フィードバック; 結合容量; 雑音指数; IIP2; IIP3; low noise amplifier; feed back; coupling capacitor; noise figure
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: CAS2017-79
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028760067; http://id.ndl.go.jp/bib/028760067
• 整理区分コード: 632