雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number117(340)-117(344):2017.12.8-2017.12.15
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ゲート接地MOSFETを利用して並列負帰還を形成した低電力化雑音打ち消しLNAの小面積化 (回路とシステム)

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ゲート接地MOSFETを利用して並列負帰還を形成した低電力化雑音打ち消しLNAの小面積化

(回路とシステム)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
028760067
Material type
記事
Author
下川 直樹ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2017-12
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(343):2017.12.14・15
Publication Page
p.79-84
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Title
ゲート接地MOSFETを利用して並列負帰還を形成した低電力化雑音打ち消しLNAの小面積化
Author/Editor
下川 直樹
和田 和千
Series Title
回路とシステム
Author Heading
下川 直樹
和田 和千
Alternative Title
Reduction of Area of a Low-Power Noise Cancelling LNA with Shunt Feedback Utilizing the Gate Grounded MOSFET
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
117(343):2017.12.14・15
Volume
117
Issue
343