AlON/AlGaN/GaN MIS-HFETによる高速スイッチング動作 (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

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AlON/AlGaN/GaN MIS-HFETによる高速スイッチング動作

(電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

国立国会図書館請求記号
Z43-225
国立国会図書館書誌ID
028999351
資料種別
記事
著者
中澤 敏志ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2018-03
資料形態
掲載誌名
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2018(32-42):2018.3.26・27
掲載ページ
p.1-6
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
中澤 敏志
施 泓安
鶴見 直大
按田 義治
初田 次康
上田 哲三
野崎 幹人
山田 高寛
細井 卓治
志村 孝功
渡部 平司
橋詰 保
並列タイトル等
Fast Switching Performance by AlON/AlGaN/GaN MIS-HFETs
タイトル(掲載誌)
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
2018(32-42):2018.3.26・27
掲載巻
2018
掲載号
32-42