電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan

• 資料種別: 雑誌
• タイトル: 電気学会研究会資料
• タイトルよみ: デンキ ガッカイ ケンキュウカイ シリョウ
• 巻次・部編番号: 2017(1)-2018(70):2017.1.26-2018.11.2 (欠番2017(66),2018(8,18,21,53))
• 部編名: EDD
• 著者・編者: 電子デバイス研究会 [編]
• 著者標目: 電気学会 デンキ ガッカイ ( 00259505 )典拠
• 出版事項: 東京 : 電気学会
• 出版年月日等: 2017-2018
• 出版年（W3CDTF）: 2017-2018
• 刊行巻次・年月次: [ ]-
• 大きさ: 25-30cm
• 並列タイトル等: The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan; The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: ZN33
• 一般注記: 本タイトル等は最新号による; 2002-1以降の並列タイトル: The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan; 「電気学会研究会資料. SPC」と合同刊行のこともあり
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z43-225
• 関連情報: 関連資料; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000047013
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000047028; http://id.ndl.go.jp/bib/000000047028
• 全国書誌番号: 00052547
• 目録規則: 国立国会図書館逐次刊行物目録規則
• 整理区分コード: 131

目次

三次元スケーリングによるIGBTのV[CEsat]低減の実験的検証 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

狭メサIGBTにおけるPベース内部の伝導現象 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

IGBTの損失低減及びターンオフ耐量向上の推移と、高速ターンオフによる更なる損失低減と不都合なダイナミックアバランシェ発生のトレードオフ (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

高輝度LEDの開発経緯と動作機構の再検討 : パワーデバイス屋が考えたLEDの動作機構 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

分割埋め込みゲート構造を有するNch LDMOSのHCI劣化改善 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

等価回路モデルを用いた低Q値マイクロ波回路の共振特性の計算 (電子デバイス 通信合同研究会 電磁波応用技術一般)

分布定数線路モデルを用いたCPW構造MZ型光変調器の変調特性計算 (電子デバイス 通信合同研究会 電磁波応用技術一般)

共平面構造Hスロット共振器を用いた30GHz帯狭帯域2段BPFの設計 (電子デバイス 通信合同研究会 電磁波応用技術一般)

導体円筒を用いたミリ波複素誘電率測定法のための恒温機能付共振特性測定システム (電子デバイス 通信合同研究会 電磁波応用技術一般)

右手系/左手系複合線路を用いたコプレーナ形ラットレース回路の設計 (電子デバイス 通信合同研究会 電磁波応用技術一般)

酸化ガリウム系ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察 (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

GaN基板と電子デバイス用GaNエピウエハの最新状況 (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

再成長p-GaN/AlGaN/GaN半極性ゲート構造を用いたノーマリオフ型GaN基板上縦型GaNトランジスタの開発 (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

AlGaN/GaN HEMTへの原子層エッチングによるプラズマ誘起ダメージの低減 (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

AlGaN/GaN HEMTのイオン照射効果の観察 (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

人間を拡張するバーチャル・リアリティ (電子デバイス研究会 高臨場感ディスプレイフォーラム2017 : 高臨場感/超臨場感技術の可能性)

ライトフィールドイメージング : 次世代立体映像制作への取り組み (電子デバイス研究会 高臨場感ディスプレイフォーラム2017 : 高臨場感/超臨場感技術の可能性)

フレネルゾーン開口を用いたレンズレスカメラ (電子デバイス研究会 高臨場感ディスプレイフォーラム2017 : 高臨場感/超臨場感技術の可能性)

高臨場感を利用した科学コミュニケーションの促進 : 映像コンテンツと映像システムのデザイン戦略 (電子デバイス研究会 高臨場感ディスプレイフォーラム2017 : 高臨場感/超臨場感技術の可能性)

招待講演 Sports Brain Science Projectの紹介とトレーニングにおける高臨場提示の役割 (電子デバイス研究会 高臨場感ディスプレイフォーラム2017 : 高臨場感/超臨場感技術の可能性)

アーク3D表示と二眼式の奥行き知覚における不同視の影響 (電子デバイス研究会 ディスプレイに関する技術全般 LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイ,並びに照明などの光源に関するデバイス,部品・材料及び応用技術)

アーク3D表示の動画化に向けた液晶アクティブデバイス (電子デバイス研究会 ディスプレイに関する技術全般 LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイ,並びに照明などの光源に関するデバイス,部品・材料及び応用技術)

アークDFD表示方式における水平方向の視域拡大に関する研究 (電子デバイス研究会 ディスプレイに関する技術全般 LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイ,並びに照明などの光源に関するデバイス,部品・材料及び応用技術)

アーク3D表示による新たな方向性バックライトを用いた全周多眼ディスプレイ (電子デバイス研究会 ディスプレイに関する技術全般 LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイ,並びに照明などの光源に関するデバイス,部品・材料及び応用技術)

アーク3D表示の動画化のためのサブピクセル構造の検討 (電子デバイス研究会 ディスプレイに関する技術全般 LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイ,並びに照明などの光源に関するデバイス,部品・材料及び応用技術)

高耐圧デバイスの有効面積効率を改善する高アスペクト比ディープトレンチ終端(HARDT²)技術 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

μ-PCD法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

解析モデルを用いたGaNワンチップ変換器における発熱密度の試算 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

SiC-MOSFETにおける短絡耐量と特性オン抵抗のトレードオフ関係の評価 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

5000V SiC双方向スーパージャンクションMOSFETの特性予測 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

超低損失酸化ガリウムトレンチMOS型ショットキーダイオード (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

All-SiCモジュールの高耐圧化と低インダクタンス化 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

3.3kV級SiC-MOSFETの短絡破壊起点の解析 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

1200V SiCスーパージャンクションMOSFETの特性予測 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

SiCパワーデバイスを対象とした繰り返しUIS試験による特性評価 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

VHF帯多段LCはしご型電力分配器の構成法 (電子デバイス研究会 電磁波応用を支えるマイクロ波・ミリ波技術)

結合線路を用いたX帯広帯域ブランチラインカプラ (電子デバイス研究会 電磁波応用を支えるマイクロ波・ミリ波技術)

金属線周期配列シートの比誘電率特性と電波吸収体への応用 (電子デバイス研究会 電磁波応用を支えるマイクロ波・ミリ波技術)

VHF帯における空港面電磁界解析手法の測定による有効性評価 (電子デバイス研究会 電磁波応用を支えるマイクロ波・ミリ波技術)

誘電体円柱共振器法を用いた導電性塗料の周波数依存性測定 (電子デバイス研究会 電磁波応用を支えるマイクロ波・ミリ波技術)

c面サファイア基板上における六方晶BN薄膜の減圧CVD成長機構 (電子デバイス研究会 ディスプレイに関する技術全般 LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイ,並びに照明などの光源に関するデバイス,部品・材料及び応用技術,並びに評価全般)

Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 (電子デバイス研究会 ディスプレイに関する技術全般 LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイ,並びに照明などの光源に関するデバイス,部品・材料及び応用技術,並びに評価全般)

有機材料薄膜形成における蒸着速度と膜厚分布の関係 (電子デバイス研究会 ディスプレイに関する技術全般 LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイ,並びに照明などの光源に関するデバイス,部品・材料及び応用技術,並びに評価全般)

紫外発光混晶アルミン酸亜鉛蛍光体の発光特性 (電子デバイス研究会 ディスプレイに関する技術全般 LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイ,並びに照明などの光源に関するデバイス,部品・材料及び応用技術,並びに評価全般)

キャリヤ注入発光を伴う直流駆動無機ELの検討 (電子デバイス研究会 ディスプレイに関する技術全般 LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイ,並びに照明などの光源に関するデバイス,部品・材料及び応用技術,並びに評価全般)

PCBロゴスキーコイルを用いたPWMインバータ出力電流測定システムの開発 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

非接触多重伝送を用いたゲート駆動回路のスイッチング特性 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

大容量電力変換器の高効率化に向けたスイッチング素子並列数の最適化 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

タップインダクタ方式-低降圧比DC-DCコンバータの降圧比と電力効率の解析の精度向上に関する研究 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

LLC電流共振電源用600V高耐圧ICの1.0MHz高周波動作の実現 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

AlON/AlGaN/GaN MIS-HFETによる高速スイッチング動作 (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

高温熱処理によるGaN-MOSFETのゲート絶縁膜信頼性の改善 (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

大電流パワーデバイスに向けた高均一性と低欠陥を実現する高品質SiCエピタキシャル成長技術について (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

化学的気相堆積法を用いたSiCトレンチ埋込みのトポグラフィー・シミュレーション (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

4H-SiC MOS反転層におけるキャリア散乱機構の評価 (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)