三次元スケーリングによるIGBTのV[CEsat]低減の実験的検証

• 資料種別: 記事
• タイトル: 三次元スケーリングによるIGBTのV[CEsat]低減の実験的検証
• 著者・編者: 筒井 一生; 角嶋 邦之; 星井 拓也; 中島 昭; 西澤 伸一; 若林 整; 宗田 伊理也; 佐藤 克己; 末代 知子; 齋藤 渉; 更屋 拓哉; 伊藤 一夫; 福井 宗利; 鈴木 慎一; 小林 正治; 高倉 俊彦; 平本 俊郎; 小椋 厚志; 沼沢 陽一郎; 大村 一郎; 大橋 弘通; 岩井 洋
• シリーズタイトル: 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
• 著者標目: 筒井 一生; 角嶋 邦之; 星井 拓也; 中島 昭; 西澤 伸一; 若林 整; 宗田 伊理也; 佐藤 克己; 末代 知子; 齋藤 渉; 更屋 拓哉; 伊藤 一夫; 福井 宗利; 鈴木 慎一; 小林 正治; 高倉 俊彦; 平本 俊郎; 小椋 厚志; 沼沢 陽一郎; 大村 一郎; 大橋 弘通; 岩井 洋
• 並列タイトル等: Experimental Verification of a 3D Scaling Principle for Low V[CEsat] IGBTs
• タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2017(74-86):2017.11.21
• 掲載巻: 2017
• 掲載号: 74-86
• 掲載ページ: 1-6
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2017-11-21
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: IGBT; スケーリング; Si; オン抵抗; V[CEsat]; scaling; on resistance
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: EDD-17-74
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z43-225
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028711572; http://id.ndl.go.jp/bib/028711572
• 整理区分コード: 632