三次元スケーリングによるIGBTのV[CEsat]低減の実験的検証

• Material Type: 記事
• Title: 三次元スケーリングによるIGBTのV[CEsat]低減の実験的検証
• Author/Editor: 筒井 一生; 角嶋 邦之; 星井 拓也; 中島 昭; 西澤 伸一; 若林 整; 宗田 伊理也; 佐藤 克己; 末代 知子; 齋藤 渉; 更屋 拓哉; 伊藤 一夫; 福井 宗利; 鈴木 慎一; 小林 正治; 高倉 俊彦; 平本 俊郎; 小椋 厚志; 沼沢 陽一郎; 大村 一郎; 大橋 弘通; 岩井 洋
• Series Title: 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
• Author Heading: 筒井 一生; 角嶋 邦之; 星井 拓也; 中島 昭; 西澤 伸一; 若林 整; 宗田 伊理也; 佐藤 克己; 末代 知子; 齋藤 渉; 更屋 拓哉; 伊藤 一夫; 福井 宗利; 鈴木 慎一; 小林 正治; 高倉 俊彦; 平本 俊郎; 小椋 厚志; 沼沢 陽一郎; 大村 一郎; 大橋 弘通; 岩井 洋
• Alternative Title: Experimental Verification of a 3D Scaling Principle for Low V[CEsat] IGBTs
• Periodical title: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
• No. or year of volume/issue: 2017(74-86):2017.11.21
• Volume: 2017
• Issue: 74-86
• Pages: 1-6
• Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2017-11-21
• Publication (Periodical Title): 東京 : 電気学会
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: IGBT; スケーリング; Si; オン抵抗; V[CEsat]; scaling; on resistance
• NDLC: ZN33
• Target Audience: 一般
• Report No. (Article): EDD-17-74
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z43-225
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 028711572; http://id.ndl.go.jp/bib/028711572
• Bibliographic Record Category (NDL): 632