再成長p-GaN/AlGaN/GaN半極性ゲート構造を用いたノーマリオフ型GaN基板上縦型GaNトランジスタの開発

• 資料種別: 記事
• タイトル: 再成長p-GaN/AlGaN/GaN半極性ゲート構造を用いたノーマリオフ型GaN基板上縦型GaNトランジスタの開発
• 著者・編者: 柴田 大輔; 半田 浩之; 塩崎 奈々子; 梶谷 亮; 梅田 英和; 宇治田 信二; 小川 雅弘; 田中 健一郎; 田村 聡之; 初田 次康; 石田 昌宏; 上田 哲三
• シリーズタイトル: 電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用
• 著者標目: 柴田 大輔; 半田 浩之; 塩崎 奈々子; 梶谷 亮; 梅田 英和; 宇治田 信二; 小川 雅弘; 田中 健一郎; 田村 聡之; 初田 次康; 石田 昌宏; 上田 哲三
• 並列タイトル等: Normally-off Vertical GaN Transistor on GaN Substrate with Regrown p-GaN/AlGaN/GaN Semipolar Gate Structure
• タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2017(42-51):2017.3.9・10
• 掲載巻: 2017
• 掲載号: 42-51
• 掲載ページ: 13-17
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2017-03
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 縦型トランジスタ; GaN基板; ノーマリオフ; 半極性ゲート構造; 低オン抵抗; 高しきい値電圧; Vertical transistor; GaN substrate; normally-off; semipolar gate structure; low on-state resistance; high threshold voltage
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: EDD-17-044
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z43-225
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028118835; http://id.ndl.go.jp/bib/028118835
• 整理区分コード: 632