再成長p-GaN/AlGaN/GaN半極性ゲート構造を用いたノーマリオフ型GaN基板上縦型GaNトランジスタの開発 (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

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再成長p-GaN/AlGaN/GaN半極性ゲート構造を用いたノーマリオフ型GaN基板上縦型GaNトランジスタの開発

(電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

Call No. (NDL)
Z43-225
Bibliographic ID of National Diet Library
028118835
Material type
記事
Author
柴田 大輔ほか
Publisher
東京 : 電気学会
Publication date
2017-03
Material Format
Paper
Journal name
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2017(42-51):2017.3.9・10
Publication Page
p.13-17
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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
柴田 大輔
半田 浩之
塩崎 奈々子
梶谷 亮
梅田 英和
宇治田 信二
小川 雅弘
田中 健一郎
田村 聡之
初田 次康
石田 昌宏
上田 哲三
Alternative Title
Normally-off Vertical GaN Transistor on GaN Substrate with Regrown p-GaN/AlGaN/GaN Semipolar Gate Structure
Periodical title
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
No. or year of volume/issue
2017(42-51):2017.3.9・10
Volume
2017
Issue
42-51