分子配向性ゲート絶縁膜を有するボトムコンタクト型OTFTの作製と、SAM修飾電極がOTFT特性に与える影響

• 資料種別: 記事
• タイトル: 分子配向性ゲート絶縁膜を有するボトムコンタクト型OTFTの作製と、SAM修飾電極がOTFT特性に与える影響
• 著者・編者: 濵地 柱元; 飯村 靖文
• シリーズタイトル: 電子ディスプレイ
• 著者標目: 濵地 柱元; 飯村 靖文
• 並列タイトル等: Fabrication of Bottom Contact OTFT on a Photosensitive Functional Gate Insulators and the Effect of SAM on Electrode to Properties of OTFT
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 118(379):2018.12.25
• 掲載巻: 118
• 掲載号: 379
• 掲載ページ: 5-8
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2018-12-25
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 有機半導体; ゲート絶縁膜; 光配向; SAM; Organic semiconductor; Gate insulator; Photo-alignment
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: IDY2018-55
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 029437776; http://id.ndl.go.jp/bib/029437776
• 整理区分コード: 632