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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number118(357)-118(381):2018.12.13-2018.12.27 (Web掲載118(358-360),118(362-364),118(366-367),118(371-372),118(375),118(377-378))
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分子配向性ゲート絶縁膜を有するボトムコンタクト型OTFTの作製と、SAM修飾電極がOTFT特性に与える影響 (電子ディスプレイ)

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分子配向性ゲート絶縁膜を有するボトムコンタクト型OTFTの作製と、SAM修飾電極がOTFT特性に与える影響

(電子ディスプレイ)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
029437776
Material type
記事
Author
濵地 柱元ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2018-12-25
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(379):2018.12.25
Publication Page
p.5-8
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Title
分子配向性ゲート絶縁膜を有するボトムコンタクト型OTFTの作製と、SAM修飾電極がOTFT特性に与える影響
Author/Editor
濵地 柱元
飯村 靖文
Series Title
電子ディスプレイ
Author Heading
濵地 柱元
飯村 靖文
Alternative Title
Fabrication of Bottom Contact OTFT on a Photosensitive Functional Gate Insulators and the Effect of SAM on Electrode to Properties of OTFT
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
118(379):2018.12.25
Volume
118
Issue
379